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一种半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-14 发布于四川
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一种半导体结构的形成方法.pdf

    本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：在第一区域的衬底上形成初始第一掩膜层，在第二区域的衬底上形成初始第二掩膜层，初始第一掩膜层和初始第二掩膜层的高度不同；在初始第一掩膜层上形成第一膜层，在初始第二掩膜层上形成第二膜层；测量刻蚀过程中的初始第一掩膜层、第一膜层、初始第二掩膜层和第二膜层的高度；根据初始第一掩膜层和第一膜层的高度和，与初始第二掩膜层和第二膜层的高度和之间的差值，调整刻蚀速率和刻蚀时间；重复多次测量和调整的步骤，直至初始第一掩膜层形成为第一掩膜层，初始第二掩膜层形

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110782 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202310104995.5 (22)申请日 2023.01.29 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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