掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法.pdf

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本发明提供一种掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法。掩模坯料(100)在透光性基板(1)上具备遮光膜(2)，其特征在于，遮光膜具有从透光性基板侧起下层和上层依次叠层的结构，下层由含有硅和氮的材料形成，上层由含有硅和氧的材料形成，对ArF曝光光的光学密度为2.5以上，表面反射率为30％以下，背面反射率为40％以下，对900nm波长的光的透过率为50％以下，下层对900nm波长的光的消光系数为0.04以上，厚度为60nm以下。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114675486 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210271072.4 G03F 1/54 (2012.01)