1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.4万字
  • 约 21页
  • 2023-05-14 发布于四川
  • 举报

一种半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一基底、形成在基底中的着陆焊盘图案、形成在基底上的下电极图案、形成在下电极图案之间的支撑结构。着陆焊盘图案包括多个呈阵列排列的着陆焊盘。下电极图案包括多个呈阵列排列的下电极，多个下电极与多个着陆焊盘一一对应；每个下电极为筒状结构，且每个下电极的底部与对应的着陆焊盘接触。支撑结构包括连接在纵向或横向任意相邻的两个下电极之间的支撑线。通过设置连接在纵向或横向任意相邻的两个下电极之间的支撑线，形成栅格状的支撑结构，以提高对下电极的支撑效果，防止下

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678361 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202011555730.X (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >