量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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量子点发光二极管及其制备方法.pdf

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本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管包括第一量子点层，第一量子点层的表面结合有半胱氨酸。本发明采用半胱氨酸对第一量子点层的表面进行修饰，由于半胱氨酸含有硫代基团，该硫代基团与量子点的结合力较强，不易从量子点表面脱落，因此器件在长时间点亮的情况下不会出现类似有机分子从量子点表面脱落导致的量子点膜发生改变影响器件性能的问题，从而提高器件的稳定性和寿命。另外，半胱氨酸的链长较短，有利于电荷传输，从而提高量子点发光二极管的发光效率。此外，结合于第一量子点层表面的半胱氨酸之间可以通

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695698 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011628345.3 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司地址