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本发明公开了一种SiC基纳米尺度非对称肖特基整流晶体管，其结构包括中间沟道散射区域和两个金属电极。其中，中间沟道散射区域采用二维SiC材料；两个金属电极分别采用4种二维金属材料（Al，Au，Pd，Ag）中的一种或者两种。该发明中，两个金属电极与衬底材料之间形成肖特基接触。当两个金属电极分别采用不同二维金属材料时，形成非对称肖特基接触结构，此时晶体管具有整流特性。当两个金属电极分别采用二维Pd和Au材料时，晶体管的整流特性最好，整流比可达750。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664939 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202210424809.1
(22)申请日 2022.04.22
(71)申请人 长沙理工大学
地址 410114
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