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本发明构思提供了一种基板处理装置和基板处理方法,该方法用于处理具有粘附到基板上的杂质的基板的表面,该杂质包括锗。该基板处理方法包括,在将待处理的基板带入到反应空间中至少一个绝缘构件暴露于该反应空间之后:同时或依序将钝化气体和工艺气体供应至所述反应空间的第一步骤,以及在停止供应钝化气体但供应等离子体源的情况下在反应空间中产生等离子体的第二步骤。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695059 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202111647647.X
(22)申请日 2021.12.30
(30)优先权数据
10-2020-0188108
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