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本发明公开了一种SnSe2单晶的制备方法，包括如下步骤：彻底清洗石英管，将其置于恒温干燥箱中干燥后，自然冷却至室温，装入高纯Sn粒、Se粒与碘颗粒；抽真空至真空度≤0.01Pa，再向其中通入高纯氩气至1000Pa，重复操作两次；在管内压强500～3000Pa的氩气保护下，将石英管密封；将已密封的石英管平放于小型箱式炉中，由室温升温至最高温，并保持48～144h后，以2～5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃后，自然冷却至室温，即获得SnSe2单晶。本发明生长出来的SnSe2单晶取向性强，便
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114686986 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202210350394.8 C30B 25/00 (2006.01)
(22)申请日 2022.04
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