用于使用半导体结构元件的方法和装置.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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用于使用半导体结构元件的方法和装置.pdf

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一种用于使用半导体结构元件的装置和方法，在所述半导体结构元件中，介电层布置在所述半导体结构元件的第一电极和第二电极之间，其中，在所述介电层中存在着第一缺陷类型的缺陷，其中，所述方法包括以下的步骤：以在第一和第二电极之间具有第一极性的第一电压运行所述半导体结构元件；确定，是否满足用于从所述半导体结构元件的以所述第一电压的运行到所述半导体结构元件的以具有与所述第一极性相反的第二极性的第二电压的运行的转换的条件；如果不满足所述条件，则继续所述半导体结构元件的以所述第一电压的运行，并且否则结束所述半导体

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114720843 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210002022.6 (22)申请日 2022.01.04 (30)优先权数据 102021200003.7