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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明公开了一种量子点激光器的制作方法，包括：MOCVD设备中，在衬底上依次生长n型限制层和n型波导层，获得初步样品；将初步样品转移至MBE设备中，然后在n型波导层上依次生长量子点有源区、p型波导层、电子限制层、p型限制层和p型接触层。本发明结合了MOCVD工艺成本低、生长速率高和MBE工艺在低维材料生长好，p‑GaN上制备的优势，制备出的氮化镓基量子点激光器具有高温稳定性，低阈值电流密度等特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725778 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202210375524.3 C30B 29/40 (2006.01)
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