掺杂有杂质的硅薄膜、其制备方法以及半导体器件.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.53万字
约 13页
2023-05-15 发布于四川
举报
版权申诉

掺杂有杂质的硅薄膜、其制备方法以及半导体器件.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请提供了一种掺杂有杂质的硅薄膜、其制备方法以及半导体器件。该制备方法包括：将待处理晶圆放置在等离子体增强化学的气相沉积设备的反应腔体中；将硅烷和杂质氢化物通入至反应腔体中，并形成等离子体沉积在晶圆上，形成掺杂有杂质的非晶硅薄膜；对掺杂有杂质的非晶硅薄膜进行退火，形成掺杂有杂质的硅薄膜。通过边沉积边掺杂，在沉积形成硅薄膜的同时完成了掺杂，无需额外的掺杂工艺，相比于沉积非晶硅薄膜后采用离子注入的方式进行掺杂，该方法的形成时间较短，掺杂的深度较深，并且，掺杂的浓度较高。另外，该方法中，可以通过调整

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110777 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202111329444.6 (22)申请日 2021.11.10 (71)申请人长江存储科技有限责任公司地址