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半导体结构及半导体结构的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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半导体结构及半导体结构的制作方法.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底、存储节点接触以及电容隔离结构，存储节点接触位于衬底上；电容隔离结构位于衬底上，且覆盖存储节点接触的侧壁，电容隔离结构包括第一气隙。通过使得电容隔离结构包括第一气隙，以此降低电感耦合效应，提高半导体结构的性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725098 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110003765.0 (22)申请日 2021.01.04 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

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