一种图形化偏角硅衬底及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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一种图形化偏角硅衬底及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种图形化偏角硅衬底及其制备方法，本发明的制备方法是在偏角硅衬底的表面设有横向隔离带和纵向隔离带，这些相互平行或相互垂直的隔离带把偏角硅衬底分割成多个方块作为生长平台，隔离带的成分为SiO2或SiN，而且隔离带上不易生长GaN层，隔离带的方向与偏角硅衬底的参考边晶向形成设定的夹角，从而减少了氮化镓薄膜受到的应力，使平台内的氮化镓薄膜发光更加均匀，提高了外延可使用面积，从而进一步提高硅基III‑V族外延薄膜的外延良率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114744088 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210236915.7 (22)申请日 2022.03.11 (71)申请人南昌大学地址 330031 江西