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钝化接触的IBC太阳电池的结构及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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钝化接触的IBC太阳电池的结构及制备方法.pdf

    本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，具体地说是一种钝化接触的IBC太阳电池的结构及制备方法，主要在IBC电池背面生长超薄二氧化硅层和多晶硅层形成隧穿氧化钝化接触结构，并去除发射极上方的氮化硅和掺杂poly层，避免造成漏电，最终在IBC电池背表面场形成高掺杂的n‑poly钝化结构。本发明同现有技术相比，在IBC电池背表面场叠加了隧穿氧化钝化接触技术，使IBC电池背表面场形成高掺杂多晶硅结构，同时实现钝化性能的提升和良好的欧姆接触，大幅提升IBC电池的转换效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725236 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110010058.4 (51)Int.Cl.

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