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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明揭示了一种发光器件及其制备方法,所述发光器件包括外延片、钝化层、电流扩展层及电极,其中:所述外延片上形成有发光单元、及位于发光单元旁侧且刻蚀至N型半导体层的台阶,所述台阶具有向上倾斜的侧壁;所述钝化层位于台阶上;所述电流扩展层位于器件台面及全部或部分第二表面上方;所述电极包括栅线电极、第一电极及第二电极。本发明器件台面上方区域仅存在栅线电极,第一电极不会对器件形成遮光,大大提高了器件的发光效率;栅线电极的宽度和长度、及第一电极的大小可以等比缩小或放大,有利于对材料特性的研究,且能显著缓解电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725152 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202210375515.4 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2022.04.
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