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一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置.pdf

    本发明公开了一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。本发明通过两块挡板的配合刻蚀，从而提高晶圆成品的整体刻蚀均匀性，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114724913 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110002167.1 (22)申请日 2021.01.04 (71)申请人 江苏鲁汶仪器有限公司 地址 221

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