一种DJ型黑相FAPbI3准二维厚膜及X射线探测器的制作方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种DJ型黑相FAPbI3准二维厚膜及X射线探测器的制作方法.pdf

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本发明公开了一种DJ型黑相FAPbI3准二维厚膜及X射线探测器的制作方法。本发明提供的DJ型准二维钙钛矿结构能够稳定FAPbI3的黑相，准二维量子肼结构能够有效抑制离子迁移，抑制基线漂移，从而提升了器件长久工作的稳定性。DJ型钙钛矿层间距较小，在抑制了离子迁移的同时可保证载流子的传输效率，同时偏立方相的黑相FAPbI3有利于厚膜体系载流子的输运，从而使器件获得高灵敏度、快响应和高信噪比。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116033766 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202211695454.6 (22)申请日 2022.12.28 (71)申请人华