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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明公开了一种半导体曝光机校正方法以及半导体结构制造方法，半导体曝光机校正方法包括以下流程。第一半导体曝光机通过第一光罩图形与第二光罩图形分别形成依序堆叠的第一测试层以及第二测试层。第一测试层与第二测试层分别具有第一图案与第二图案。第二半导体曝光机通过第三光罩图形于第二测试层上堆叠第三测试层。第三测试层具有第三图案。通过电子显微镜量测第一测试层上的第一图案与第三测试层上的第三图案之间的叠对误差。根据叠对误差校准第一半导体曝光机以及第二半导体曝光机。如此，能够修正次相关图案因无法对齐而导致形成结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114724970 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110192899.1
(22)申请日 2021.02.20
(30)优先权数据
110100154 2021.
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