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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件及其制备方法、存储装置。该半导体器件包括衬底、第一字线和第二字线；衬底上交替且并列设置有第一字线沟槽和第二字线沟槽；第一字线设于第一字线沟槽内；第二字线设于第二字线沟槽内；其中，第一字线沟槽的宽度大于第二字线沟槽的宽度，且第一字线沟槽的深度小于第二字线沟槽的深度，以使第一字线的宽度大于第二字线的宽度，第一字线的高度小于第二字线的高度，且第一字线的阈值电压大于第二字线的阈值电压。该半导体器件能够减少字线性能的失配。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725104 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110005942.9
(22)申请日 2021.01.05
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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