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本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括在外延层表面形成沟槽；在沟槽内依次形成第一场氧层、氮化硅层及第二场氧层；形成第一多晶硅；去除第一多晶硅上方的第二场氧层，或去除第一多晶硅上方的第二场氧层及氮化硅层；形成第二多晶硅；使外延层表面以及第二多晶硅上方沟槽侧壁的外延层外露。本发明中，第一多晶硅周围的第一场氧层、氮化硅层及第二场氧层形成了具有第一厚度的第一场氧，第二多晶硅周围的第一场氧层和氮化硅层的组合或第一场氧层形成了具有第二厚度的第二场氧，第一场氧和第二场氧的厚度在ONO结构形成时就已
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114743879 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210343805.0 H01L 29/423 (2006.01)
(22)申请日 2022.04
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