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测试键结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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测试键结构及其制造方法.pdf

    本发明公开一种测试键结构及其制造方法，其中该测试键结构位于晶片的切割道中，且包括基底、介电层、金属层、第一介层窗、第二介层窗、遮蔽层、第一接垫与第二接垫。介电层设置在基底上。金属层设置在介电层中。第一介层窗与第二介层窗设置在介电层中，且分别电连接至金属层。遮蔽层设置在介电层上，且位于部分金属层的正上方。第一接垫与第二接垫设置在介电层上，且分别电连接至第一介层窗与第二介层窗。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114724969 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110167909.6 (22)申请日 2021.02.07 (30)优先权数据 110100031 2021.

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