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一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统.pdf

    本申请的实施例公开了一种硅片刻蚀方法及硅片刻蚀系统，所述硅片刻蚀方法包括：对具有扩散表面的硅片依次进行第一酸洗、第二酸洗、碱洗和后处理得到刻蚀后硅片，其中所述具有扩散表面的硅片为所述硅片经过了硼扩散工艺处理；所述第一酸洗采用第一酸洗液，用于去除所述硅片背面及侧面的硼硅玻璃层，所述第一酸洗液包括体积比为(3～8):(1～5)的氢氟酸和水，所述第一酸洗的温度为25～35℃。本申请提供的刻蚀方法使用25～35℃的包含氢氟酸的第一酸洗液预先对硅片背面及侧面的BSG进行刻蚀，在去除BSG的同时使硅片的背面

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114724942 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210377148.1 (22)申请日 2022.04.11 (71)申请人 西安隆基乐叶光伏科

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