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- 2023-05-15 发布于四川
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在一个实施例中公开了一种半导体器件及半导体器件封装。一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在所述第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，电耦接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电耦接到所述第二导电半导体层；其中，所述第一电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层包括第一金属层，所述第一金属层包括第一金属，并且所述第一金属的扩散系数大于所述第三层中包含的第三金属的扩散系数；所述第二层的厚度在所述第一金属层的厚度的0.4至0.53倍的范围
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725264 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202210379216.8 (51)Int.Cl.
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