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本发明公开了一种晶圆连续化学抛光装置，涉及半导体加工技术领域，其技术方案要点是：包括抛光台和至少一个抛光单元，所述抛光单元包括第一抛光板、第二抛光板、喷液器以及用于放置晶圆的装载台，装载台与抛光台转动连接；第一抛光板、第二抛光板和喷液器均通过机械臂装配在装载台上方；当装载台驱动晶圆旋转时，第一抛光板、第二抛光板和喷液器启动后对相应晶圆同时进行抛光和化学冲洗。本发明效降低了在抛光板上喷施不同抛光剂而导致软垫污染的几率，同时能够在一个单元时间内完成多个晶圆的全部工序，有效提高了生产效率；以及能够降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116100462 A
(43)申请公布日 2023.05.12
(21)申请号 202111334047.8
(22)申请日 2021.11.11
(71)申请人 成都高真科技有限
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