一种百纳米级栅极及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种百纳米级栅极及其制备方法和应用.pdf

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本发明涉及一种百纳米级栅极及其制备方法和应用。所述制备方法为在半导体外延片上溅射导电金属薄层，随后旋涂光刻胶，在半导体外延片上形成导电金属薄层/光刻胶后，按照设计版图所需宽度的曝光区域进行电子束曝光，观察光刻胶的截面，计算栅极凹槽区域截面上下表面的宽度差，将设计版图的所需栅极宽度减去宽度差，形成新的设计版图；重复光刻步骤，按照新的设计版图的曝光区域进行电子束曝光，随后刻蚀形成栅极凹槽，剥离光刻胶并刻蚀导电金属薄层，经电子束光刻、蒸镀和剥离形成栅金属电极。本发明采用线宽补偿设计的方式使最终制备的栅

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114724930 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210218139.8 (22)申请日 2022.03.01 (71)申请人广州市众拓光电科技