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本申请提供了一种半导体器件中的衬底结构和半导体器件。该衬底结构包括衬底、第一绝缘介质层、顶层硅和多个浅沟槽隔离结构，其中，第一绝缘介质层位于衬底的表面上，顶层硅位于第一绝缘介质层的表面上，顶层硅包括多个厚度不同的顶层硅部，一个顶层硅部和对应的第一绝缘介质层的部分形成一个基底区，多个浅沟槽隔离结构位于任何相邻的两个基底区之间。该衬底结构中，顶层硅部的厚度不同，可以满足不同半导体器件的电压需求，从而解决了现有技术中的同一晶圆上不能制作的不同工作电压的器件的问题，并且多个浅沟槽隔离结构可以抑制不同半导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116110930 A
(43)申请公布日 2023.05.12
(21)申请号 202111329435.7
(22)申请日 2021.11.10
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
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