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半导体元件的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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半导体元件的形成方法.pdf

    一种半导体元件的形成方法，包含在穿过介电质层的开口的底面上形成第一导电特征。形成第一导电特征留下晶种在开口的侧壁上。对晶种执行处理制程以形成经处理晶种。经处理晶种通过清洁制程去除。清洁制程可以包含用去离子水冲洗。形成第二导电特征以填充开口。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765128 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110619309.9 (22)申请日 2021.06.03 (30)优先权数据

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