一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法.pdf

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本发明公布了一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，该方法包括以下步骤：S1：液态合金制备，将原料投入到熔炉中熔炼；S2：雾化液的形成，将液态的合金雾化成液态的小液滴；S3：沉积坯的成型，雾化的小液滴撞击在沉积盘上，形成沉积坯；S4：沉积坯的热处理；S5：热轧，将沉积坯挤压成板材；S6：模切，将板材模切成固定的尺寸，本发明的有益效果如下：在沉积的时候采用氮气进行保护，可以减少材料的氧化；雾化的液态金属逐层在沉积盘上凝固形成沉积坯，沉积坯的内部结构均匀，不会产生宏观偏析，显微组织都是细小且均匀的等轴

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116000298 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202310028599.9 B22F 3/20 (2006.01)