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本发明公开了一种闪存的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底。步骤二、在存储单元区形成第一浅沟槽隔离，包括：步骤21、定义出存储单元区中的第一浅沟槽的形成区域。步骤22、进行刻蚀形成第一浅沟槽，第一浅沟槽定义出所述存储单元区中的第一有源区。在俯视面上，第一有源区呈条形，同一列的存储单元形成于同一个第一有源区中，同一列的各存储单元会连接到同一列的位线，相邻两列的位线之间的间隔区由第一浅沟槽隔离的宽度确定。步骤23、进行第一次离子注入对所述第一浅沟槽的内侧表面进行处理。步骤24、填充氧化层形成第一浅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116017980 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202310033592.6
(22)申请日 2023.01.10
(71)申请人 普冉半导体 （上海）股份有限公司
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