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二维位置分辨硅探测器.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于北京
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二维位置分辨硅探测器.pdf

    本发明提供了一种二维位置分辨硅探测器，包括基底，正面阴极环嵌入于基底正面，正面阴极环上方镀有正面铝层；阳极嵌入于基底反面，阳极远离基底的一面镀有反面铝层；二氧化硅层填充于正面铝层之间以及反面铝层之间；所述正面铝层上设置有正面探测信号输出点；所述反面铝层上设置有反面探测信号输出点。解决了现有技术中存在的探测信号引出点多，封装工作量和难度大，产品合格率低等问题。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114784126 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210490644.8 (22)申请日 2022.05.11 (71)申请人 湖南脉探芯半导体科技有限公司 地址

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