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半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片.pdf

    本公开提出一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片，该半导体结构包括：半导体衬底及形成于半导体衬底上的介质层；嵌入于介质层中的导通孔；形成于导通孔中的第一含钴覆盖层；形成于第一含钴覆盖层上的金属互连线，金属互连线填充于导通孔内；以及，形成于金属互连线上的第二含钴覆盖层，第二含钴覆盖层仅位于填充在导通孔内的金属互连线上。本公开在金属互连线左、右、下部形成有第一含钴覆盖层，在金属互连线上部形成有第二含钴覆盖层，使金属互连线四周都包裹有含钴覆盖层，藉由含钴覆盖层负荷应力迁移和电迁移，有效防止金属互

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765157 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110056681.3 (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10

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