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本公开涉及一种磁性穿隧接面结构及其制造方法，连接金属导通孔堆叠物通过重复沉积导通孔层、将导通孔层图案化及修整以形成小于30nm的导通孔、以介电层封装导通孔及暴露出导通孔的顶表面的步骤形成于底电极上。磁性穿隧接面堆叠物沉积于封装的导通孔堆叠物上，顶电极沉积于磁性穿隧接面堆叠物上，并将顶电极图案化及修整以形成小于60nm的硬遮罩。使用硬遮罩蚀刻磁性穿隧接面堆叠物以形成磁性穿隧接面元件，并过蚀刻磁性穿隧接面堆叠物以蚀刻介电层而不蚀刻底电极，其中任何金属再沉积材料形成于磁性穿隧接面元件下方的介电层的侧壁
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110867513 A
(43)申请公布日
2020.03.06
(21)申请号 20191
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