芯片老化性能建模方法、装置、设备及存储介质.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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本发明一个或多个实施例提供了一种芯片老化性能建模方法、装置、存储介质及设备，该方法包括：对影响芯片性能中的目标电路模块进行加速测试，得到测试结果；根据所述测试结果建立所述目标电路模块的第一性能参数随时间变化的第一函数关系；建立在所述芯片未老化的状态下，所述目标电路模块的所述第一性能参数与所述芯片的第二性能参数之间的第二函数关系；根据所述第一函数关系以及所述第二函数关系，建立所述芯片的所述第二性能参数随时间变化的老化性能模型，该方法可快速建立芯片老化性能的模型。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112651210 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011611165.4 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人海光