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本发明提供了一种IPM的封装方法以及IPM封装中的键合方法，对IGBT芯片与电路板之间直径相对较粗的第一引线采用频率相对较低的超声波进行第一冷超声波键合，对驱动芯片与电路板之间的直径相对较细的第二引线采用频率相对较高的超声波进行第二冷超声波键合。好处在于：相对于金铜线热超声波键合，利用冷超声波键合无需加热，可以避免高温加热导致的承载IGBT芯片及驱动芯片的绝缘基板与基岛分离，以及避免分离过程中绝缘基板撕裂导致的绝缘性能变差，进而避免IPM耐压性差及散热不良等问题，提高IPM良率和性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111834350 A
(43)申请公布日
2020.10.27
(21)申请号 20191
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