固态氧离子导体基场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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固态氧离子导体基场效应晶体管及其制备方法.pdf

本发明公开了一种新型固态氧离子导体基场效应晶体管及其制备方法,其中,该场效应晶体管包括:衬底;栅介质层,位于衬底上,其中,栅介质层为固态氧离子导体薄膜;沟道层,覆盖于部分栅介质层上;源极和漏极,分别位于未被沟道层覆盖的栅介质层上以及部分沟道层上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765223 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110051784.0 (22)申请日 2021.01.14 (71)申请人 中国科学技术大学 地址 23002

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