半导体结构及其制作方法、存储器.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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半导体结构及其制作方法、存储器.pdf

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本申请涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器。半导体结构包括：衬底；至少一个有源层单元，有源层单元包括层叠设置的多层有源层以及设置在相邻有源层之间的隔离层，有源层包括第一图形、第二图形以及沟道图形，第一图形与第二图形中的其中一者为源极图形，另一者为漏极图形，沟道图形连接第一图形与第二图形，各层有源层的第一图形在远离沟道图形一侧呈阶梯状分布，且相邻第一图形之间具有隔离层，相邻第二图形之间具有隔离层；多个栅极结构，分别环绕于各沟道图形外周；多个第一接触结构，分别位于各第一图形上方；多个电容结构，分别

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759033 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210452421.2 (22)申请日 2022.04.27 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230