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光刻胶去除方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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光刻胶去除方法.pdf

    本发明提供的一种光刻胶去除方法，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底；在所述衬底上进行光刻胶的沉积、曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；在所述衬底上进行离子注入工艺和/或刻蚀工艺；最后，利用高温烘烤方式和/或稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层。在上述技术方案中，该光刻胶去除方法与现有的去除方法相比，主要是摒弃了在刻蚀和清理阶段利用灰化法或湿法去除工艺去除光刻胶层的方式，转而在光刻设备中直接实现对光刻胶层的去除操作，有效的提高半导体的制备效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114764219 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110057909.0 (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10

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