原创力文档- 4
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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明提供一种新型IGBT器件的制备工艺，在衬底上进行沟槽刻蚀后，进行多晶硅掺杂、刻蚀，形成平面栅区域，平面栅区域形成后，进行P阱及N阱注入。本发明的有益效果是采用平面栅结构和沟槽栅结构的混合结构，在保证器件静态参数基本不变的情况下达到更高的耐短路能够力和更加优化的动态特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823333 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210343230.2
(22)申请日 2022.04.02
(71)申请人 天津环鑫科技发展有限公司
地址 3
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