原创力文档- 8
- 0
- 约1.07万字
- 约 13页
- 2023-05-17 发布于四川
- 举报
本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括依次堆叠在所述衬底上的浮栅多晶硅层、氮化硅层及先进图形膜层；刻蚀所述堆叠层及部分所述衬底以形成开口，所述开口贯通所述堆叠层并延伸至所述衬底内；除去所述先进图形膜层；在所述开口中形成浅槽隔离结构。以所述先进图形膜层为掩膜刻蚀形成所述开口，使所述开口具有更好的形貌特征，所述先进图形膜层的引入可以在原有工艺上减薄所述氮化硅层的厚度，以使所述先进图形膜层被去除之后所述开口的深度更小，进而降低所述浅槽隔离结构的填充难
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823296 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210341548.7
(22)申请日 2022.03.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址
文档评论（0）