基于动态规划的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池模型参数提取方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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基于动态规划的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池模型参数提取方法.pdf

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本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种基于动态规划的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池模型参数提取方法，包括以下步骤：步骤S1，构建InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的模型；步骤S2，构建InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的模型的I‑V特性曲线表达式；步骤S3，构建关于短路电流Isc、峰值电流Im、开路电压Voc和峰值电压Vm的方程组；步骤S4，定义模型中串联电阻Rs和二极管的理想因子n的范围，并将两者进行分组；步骤S5：在步骤S4的基础上，求解模型中Rs、n、Iph、I0和Rsh五个参

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114818314 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210429485.0 (22)申请日 2022.04.22 (71)申请人陕西科技大学地址 71