高亮发光二极管芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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本公开提供了一种高亮发光二极管芯片及其制备方法。该高亮发光二极管芯片包括:衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、电流阻挡层、透明导电层、第一电极和第二电极;衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层和电流阻挡层依次层叠,透明导电层位于电流阻挡层表面且延伸至第二半导体层表面,第二电极位于透明导电层的表面,第二电极在衬底上的正投影位于电流阻挡层位于衬底上的正投影内,第一电极与第一半导体层相连;第二电极包括焊盘和手指条,手指条的一端与焊盘相连,从焊盘至手指条的方向上,电流阻挡层在垂直于衬底的承载面的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114824008 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210313811.1 (22)申请日 2022.03.28 (71)申请人 华灿光电(浙江)有限公司 地址 3

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