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一种优化化合物半导体晶体中空位缺陷的掺杂方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种优化化合物半导体晶体中空位缺陷的掺杂方法.pdf

    本发明提供了一种优化化合物半导体晶体中空位缺陷的掺杂方法，解决现有化合物半导体晶体中空位缺陷的优化效果不好的技术问题，本发明在现有装料和晶体生长方法的基础上，摒弃了直接将掺杂元素In加入到Cd、Zn、Te等原料中或是CdTe、CZT多晶料中的方法，而是先将计算好掺杂比例的In和Te元素提前在高温下反应化合，再按照晶体中各元素的比例装料，重新在高温下混合均匀得到CZT或CdTe多晶料，最后采用晶体生长设备制备CZT和CdTe单晶体。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808133 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210279837.9 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 西北工业大学 地址 710072

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