原创力文档- 1、本文档共12页，其中可免费阅读11页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及晶片清洗技术领域，尤其涉及用于一种晶片清洗水和清洗晶片的方法，包括去有机物和金属的清洗水、去颗粒的有机水和去金属的有机水，去有机物和金属的清洗水具有大于1MΩ.cm的电阻率，该去有机物和金属的清洗水内含有H2SO4和H2O2，且H2OH：H2SO4的比例为2~4：1，本发明去有机物和金属的有机水内的H2SO4和H2O2的强氧化性和脱水性，在浸泡过程中，去有机物和金属的有机水和附着在半导体晶片上的有机物进行反应，对有机物内的碳氢键进行破坏，H2O2和有机物反应放出氧气和水，H2O2会和金
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114806747 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210455713.1 C11D 11/00 (2006.01)
提供农业、铸造、给排水、测量、发电等专利信息的免费检索和下载；后续我们还将提供提供专利申请、专利复审、专利交易、专利年费缴纳、专利权恢复等更多专利服务。并持续更新最新专利内容，完善相关专利服务，助您在专利查询、专利应用、专利学习查找、专利申请等方面用得开心、用得满意！
文档评论（0）