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基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法.pdf

    本发明涉及一种基于P型金刚石的氧化镓异质结肖特基二极管及制备方法，二极管包括：衬底层、漂移层、若干P型金刚石区、阴极和阳极，其中，阴极、衬底层、漂移层依次层叠；若干P型金刚石区间隔分布在漂移层的表层中；阳极位于漂移层的表面，且阳极的一端与一P型金刚石区部分交叠，另一端与另一P型金刚石区部分交叠；P型金刚石区包括第一阶区域和第二阶区域，第一阶区域位于第二阶区域上，第一阶区域的侧面和第二阶区域的侧面中至少一个侧面相对于漂移层的表面倾斜。该肖特基二极管缓和了结势垒肖特基二极管的电场集中问题，同时规避了

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823926 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210192822.9 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人 西安电子科技大学 地址 71000

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