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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明提供了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路，用于驱动晶体管Q1，包括驱动芯片、晶体管Q2、电阻Rg、开通偏置电压VCC以及关断偏置电压VEE；所述驱动芯片输出电源负端口连接至关断偏置电压VEE的负极，所述驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压VCC的正极，所述驱动芯片的输出端一与驱动芯片的输出端二并联后连接至所述电阻Rg的一端以及晶体管Q2的栅极，所述电阻Rg的另一端分别连接所述晶体管Q1的栅极以及晶体管Q2的源极，所述晶体管Q2的漏极连接至所述关断偏置电压VEE的负极，所述开
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114825869 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210251375.X
(22)申请日 2022.03.15
(71)申请人 泰科天润半导体科技（
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