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一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭.pdf

    本申请公开了一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭。其中，所述碳化硅单晶片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽均不大于16arcsec；所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽的差值不大于5arcsec。本申请的碳化硅单晶片质量较高且不同位置处结晶质量均匀，晶型一致性好。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808128 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210257397.7 B05C 5/02 (2006.01)

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