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本发明公开了一种半导体器件、半导体器件的制作方法及电子设备，其中，半导体器件，包括衬底、二极管和第一绝缘层；衬底具有第一表面，第一表面上设有第一沟槽，第一绝缘层附着于第一沟槽的内壁；二极管包括P型导电层和N型导电层，P型导电层和N型导电层均位于第一沟槽内，部分第一绝缘层位于P型导电层与衬底之间，部分第一绝缘层位于N型导电层与衬底之间，P型导电层和N型导电层相连且沿第一方向层叠，第一方向为衬底的厚度方向。本发明能够保证在二极管具有较好的导电能力的前提下，减少半导体器件的第一表面的面积，降低半导体器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116013920 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202211569464.5
(22)申请日 2022.12.08
(71)申请人 上海功成半导体科技有限公司
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