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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括鳍状结构，其沿着第一方向纵向延伸。鳍状结构包括半导体层堆叠物，半导体层堆叠物的多个半导体层沿着正交于第一方向的第二方向逐一堆叠。装置亦包括第一掺杂物形式的第一源极/漏极部件，在鳍状结构上并与半导体层堆叠物隔开。装置还包括第二掺杂物形式的第二源极/漏极部件，在鳍状结构上，沿着第二方向在第一源极/漏极部件的上方并连接于半导体层堆叠物。第一掺杂物形式不同于第二掺杂物形式。此外，装置又包括隔离部件，介于第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823537 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210218242.2
(22)申请日 2022.03.04
(30)优先权数据
63/157,023 2021
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