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- 2023-05-17 发布于四川
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一种形成半导体封装的方法包括以下操作。提供第一集成电路结构，且第一集成电路结构包括第一衬底及位于第一衬底之上的硅层。执行等离子体处理以将硅层的顶部部分转变为位于第一集成电路结构的其余硅层上的第一结合层。提供第二集成电路结构，且第二集成电路结构包括第二衬底及位于第二衬底之上的第二结合层。通过第二集成电路结构的第二结合层及第一集成电路结构的第一结合层将第二集成电路结构结合到第一集成电路结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823359 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210319479.X H01L 23/00 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.
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