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一种半导体激光元件.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种半导体激光元件.pdf

    本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别涉及一种半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、n层包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、p型包覆层和p型半导体，其中有源层为InbGa1‑bN/IncAldGa1‑c‑dN，n型包覆层至少具有3层Al梯度层AleGa1‑eN/AlfIngGa1‑f‑gN/AlhGa1‑hN，n型包覆层之间具有Al组分梯度且与有源层间亦形成Al组分梯度：Al组分e＞h＞f≥d，AlfIngGa1‑f‑gN与有源层、上波导层、下波层形成的In组分梯度构成In组分梯度

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114825048 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210366900.2 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人 安徽格恩半导体有限公司 地址 23

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