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基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的PIN二极管，包括n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3层、p+型金刚石层、p++型金刚石层、阴极层和阳极层，其中，所述阴极层、所述n+‑Ga2O3衬底层、所述n‑‑Ga2O3层和所述p+型金刚石层自下而上依次设置，所述p++型金刚石层设置在所述p+型金刚石层上表面，且所述p++型金刚石层上开设有多个沟槽，所述阳极层覆盖在所述多个沟槽内部和所述p++型金刚石层的上表面；所述n‑‑Ga2O3层的掺杂浓度小于所述n+‑Ga2O3衬底层的掺杂浓度，所述p+

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823920 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210190204.0 H01L 2

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